Valdība lemj piedalīties ES konkursā Nacionālā mikroshēmu kompetences centra izveidei Latvijā
Iepazīstoties ar Ekonomikas ministrijas (EM) sadarbībā ar Izglītības un zinātnes ministriju un Latvijas pusvadītāju nozares dalībniekiem izstrādāto Informatīvo ziņojumu "Par Latvijas iespējām pusvadītāju tehnoloģiju attīstības jomā", Ministru kabineta š.g. 1. oktobra sēdē lēma, ka Latvija piedalīsies “Apvārsnis Eiropa” konkursā Nacionālā mikroshēmu kompetences centra (KC) dibināšanai un sekmīga rezultāta gadījumā novirzīs valsts līdzfinansējumu 744 704 EUR gadā četru gadu periodam, sākot no 2025. gada, Eiropas Savienības kopuzņēmuma “Mikroshēmas” nacionālā mikroshēmu kompetences centra izveidei un darbībai Latvijā. Pieteikumu konkursam gatavos Rīgas Tehniskā universitāte (RTU).
ES tiks veidoti vairāki Nacionālie mikroshēmu kompetences centri ar mērķi būt par vienas pieturas piekļuves punktu tehniskām zināšanām, prasmēm un eksperimentiem mikroshēmu jomā, kā arī kopuzņēmuma “Mikroshēmas” izveidotajām infrastruktūrām: mikroshēmu virtuālajai projektēšanas platformai un pilotlīnijām. Kompetences centri sniegs pakalpojumus pusvadītāju ekosistēmas dalībniekiem, īpaši jaunuzņēmumiem un MVU, iekļausies Eiropas pusvadītāju kompetences centra tīklā un veidos sadarbību ar citu valstu kompetences centriem un ekosistēmām.
Latvijai ir potenciāls attīstīt konkrētu pusvadītāju tehnoloģiju nišas kompetenci, piemēram, silīcija fotonikas jomā un tādā veidā atbalstīt Eiropu globālajā pusvadītāju sacensībā. Ziņojums ilustrē, ka Latvijā pastāv attīstīta zinātniskā bāze gan nišas tehnoloģiju jomā, gan mikroelektronikā kopumā, radot iespēju attīstīt konkurētspējīgas tehnoloģijas globālam pieprasījumam.
Tāpat valdība lēma, ka Latvijas Investīciju un attīstības aģentūra (LIAA) būs kompetentā iestāde (vienotais kontaktpunkts), kas būs atbildīga par to jautājumu koordinēšanu, kuri saistīti ar ES Mikroshēmu akta ieviešanu un par pārrobežu sadarbību ar citu dalībvalstu kompetentajām iestādēm. LIAA kompetentās iestādes funkcijas izpildi nodrošinās tai piešķirto valsts budžeta līdzekļu ietvaros.
Informatīvajā ziņojumā apkopota informācija par ekonomiskajiem un konkurētspējas ieguvumiem no Latvijas iesaistes pusvadītāju nozares attīstībā, kā arī aprakstīts Latvijas nozares redzējums par Latvijas pusvadītāju nozares potenciālu un attīstības vajadzībām. Ziņojumā apkopotas arī starptautiskās pusvadītāju nozares attīstības tendences, Eiropas Mikroshēmu akta mērķi un nosacījumi, kā arī Latvijā pieejamās kompetences kā pamats pusvadītāju nozares turpmākai attīstībai.
Pusvadītāji (arī mikroshēas) ir būtiski tehnoloģiskie elementi it visā, sākot no viedtālruņiem un datoriem līdz automašīnām un medicīnas ierīcēm. Ņemot vērā straujo tehnoloģiju attīstību un dažādu nozaru digitalizāciju, paredzams, ka pieprasījums pēc pusvadītājiem arvien pieaugs. Savukārt silīcija fotonika ir tehnoloģija, kas ļauj apvienot elektroniskās un optiskās funkcijas vienā mikroshēmā, izmantojot silīcija pamatu. Tā ir svarīga nākotnes tehnoloģija, kas spēj palielināt datu pārraides ātrumu un energoefektivitāti, kas ir būtiski tādās jomās kā datu centri, telekomunikācijas, medicīnas ierīces un pat mākslīgais intelekts.
Lielākā daļa no pusvadītāju ražošanas notiek Taivānā, Japānā, Dienvidkorejā un Amerikas Savienotajās Valstīs, jo tur šīs tehnoloģijas ir attīstījušās vēsturiski. Pieņemtā Mikroshēmu akta mērķis ir stiprināt Eiropas līderpozīciju pētniecības un tehnoloģiju nozarē, lai novērstu pusvadītāju deficītu ES, kā arī stiprinātu Eiropas neatkarību šajā nozarē. Latvija ir atbalstījusi Mikroshēmu akta prioritātes un mērķus.
Pamatā Latvijas iespēja sākotnēji ir saskatāma bezražotņu (angl. fab-less) modeļa attīstīšanā, kas nozīmē, ka pusvadītāji tiek projektēti un izstrādāti, bet to ražošanu uztic ārējām ražotnēm jeb fabrikām. Tas ļauj Latvijai fokusēties uz intelektuālo potenciālu, pētniecību un dizainu, neieguldot lielus resursus attiecīgā ražošanas infrastruktūrā, kas ir ļoti dārga un prasa ilglaicīgas investīcijas. Šāda stratēģija dotu iespēju piedalīties globālajā pusvadītāju tirgū ar inovācijām un inženiertehniskajiem risinājumiem, palīdzot Eiropai konkurēt pasaules mērogā un mazināt atkarību no citu globālo konkurentu ražošanas jaudām.
Latvijā pusvadītāju nozares tehnoloģiskās iespējas pēta un attīsta RTU, Latvijas Universitāte, LU Cietvielu fizikas institūts un Elektronikas un datorzinātņu institūts. Šīs organizācijas veic augstas kvalitātes pētniecību, attīstot fundamentālās un lietišķās zināšanas pusvadītāju tehnoloģijās, kā arī nodrošina izglītības programmas.
Latvijā darbojas virkne uzņēmumu pusvadītāju vērtības ķēdē, kas vērtējami kā daļa no plašākas mikroelektronikas ekosistēmas. Latvijā ir vērojama nozīmīga aktivitāte pusvadītāju materiālu pētniecībā, litogrāfijā un mikroshēmu dizainā. Pētījuma aplēses liecina, ka Latvijas pusvadītāju industrijas tirgus apjoms 2022. gadā pārsniedza 614 miljonus EUR, nodarbinot gandrīz 700 darbiniekus.
Ņemot vērā Latvijas plašo tehnoloģisko kompetenču klāstu un attīstības potenciālu, sadarbībā ar nozari identificēti četri pusvadītāju nozares attīstības virzieni, kas var nodrošināt Latvijas konkurētspējas priekšrocības starptautiskajā pusvadītāju nozarē - fotonikas integrētās shēmas, mikroelektronika, polimēru fotonikas platforma un kvantu ierīces. Virzienu attīstīšana ir īstenojama, piesaistot ES līmeņa programmu finansējumu, ārvalstu investīcijas un uzņēmumu investīcijas vai iesaistīto ministriju piešķirto valsts budžeta līdzekļu ietvaros.
Kā zināms, pamatojoties uz Mikroshēmu akta nostādnēm, 2022. gada 29. novembrī Latvijā tika parakstīts saprašanās memorands “Latvijas spēju attīstībai elektronikas ražošanai nepieciešamo mikroshēmu piegādes ķēdēs”. Memorandu parakstīja publiskā, privātā un akadēmiskā sektora pārstāvji. Memoranda trīs galvenie darbības virzieni - veicināt pusvadītāju ekosistēmas attīstību Latvijā, attīstīt Latvijā izglītības iespējas un pētniecību pusvadītāju nozarē, kā arī attīstīt Latvijā izstrādes un ražošanas spējas pusvadītāju piegādes ķēdē.
*Materiāls no https://www.em.gov.lv/
